TetraMem宣布22奈米多位元RRAM類比記憶體運算SoC取得產品研發里程碑
加州聖荷西--(美國商業資訊)--總部位於矽谷、致力於研發類比記憶體運算(IMC)解決方案的半導體公司TetraMem Inc.今日宣布，旗下以22奈米多位元阻變記憶體(RRAM)為基礎打造的類比IMC系統級晶片(SoC)平台MLX200已成功完成投片、生產以及初始矽晶驗證。
本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20260516923154/zh-HK/
此次成果代表憑藉新型非易失性儲存技術打造的類比運算架構向商業化落地邁出重要一步，能夠因應現在AI系統日益嚴峻的資料傳輸、功耗和散熱受限等挑戰。
隨著AI工作負載規模持續擴大，系統效能日益受到記憶體和運算單元之間資料傳輸成本的制約。類比記憶體運算採用一種截然不同的方法，直接在儲存陣列內部執行運算，大幅減少資料傳輸行為，並提升了系統級效率。TetraMem的MLX200平台將多位元RRAM陣列與類比運算引擎融為一體，使儲存內部能夠完成高輸送量向量矩陣運算，同時保持與先進互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程的相容性。
憑藉TSMC 22奈米CMOS製程實現量產應用的多位元RRAM技術，具備實際部署所需的關鍵特性，包括可相容CMOS製程且額外製程複雜度極低、低電壓低電流工作模式、出色的資料保存能力和讀寫耐久度，以及可提升儲存和運算密度的強大多位元能力。早期矽晶測試結果顯示，該技術在不同陣列間具有一致的功能，驗證了其在內建式非易失性記憶體和記憶體運算應用中的可行性。
本次里程碑成果憑藉TetraMem此前在TSMC 65奈米CMOS製程上開發的MX100平台所奠定的技術基礎。公司此前已在該平台上成功研製出具備數千電導層級的多位元RRAM元件（《在CMOS整合憶阻器中實現數千級電導檔位》，於2023年3月發表于《自然》期刊），同時實現高精確度類比運算能力（《針對類比運算實現憶阻器陣列超高精確度程式設計》，於2024年2月發表於《科學》期刊）。這些過往研究成果為該技術向更先進制程節點擴展奠定了堅實的科學和工程基礎。
自2019年起，TetraMem便與全球頂尖半導體晶圓廠密切合作，推動RRAM技術從早期研究階段邁向可量產矽晶階段。本次22奈米製程取得的進展體現了製程整合、元件均勻性和系統級協同設計方面的持續進步。
MLX200與MLX201平台專為對功耗和回應延遲要求嚴格的邊緣AI應用場景設計，涵蓋語音和音訊處理、穿戴式裝置、物聯網系統以及全天候感知等領域。評估樣品可望於2026年下半年開始提供，多位元RRAM記憶體IP現已開放評估和潛在授權使用。
TetraMem共同創辦人兼執行長Glenn Ge博士評論道：「這一里程碑體現了我們與晶圓廠合作夥伴TSMC多年來的密切合作，並證明了將多位元RRAM和類比記憶體運算從運算架構突破轉化為先進節點商用矽晶的可行性。我們相信，這種方法為提高下一代AI系統的能效和可擴充性提供了一條切實可行的途徑。」
MLX200平台的成功實現彰顯了以多位元RRAM為基礎的類比運算在先進半導體製程上的可行性。TetraMem將繼續推進這項技術的發展，以更高的能效和系統可擴充性來支援新興的AI工作負載。
關於TetraMem
TetraMem是一家位於矽谷的半導體公司，率先將多位元RRAM技術應用於類比記憶體運算領域。其自研架構融合儲存與運算功能，大幅減少AI任務運行過程中的資料傳輸損耗並提升能效。憑藉在元件、電路和系統協同設計方面的雄厚實力，TetraMem正在推進針對邊緣AI和未來高效能運算的可擴充解決方案，並與首屈一指的晶圓廠和生態系統合作夥伴密切合作，將基礎科學突破性技術轉化為商業化的彈性產量生產。
免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
請前往 businesswire.com 瀏覽源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20260516923154/zh-HK/
CONTACT:
媒體連絡人：
Glenn Ge
pr@tetramem.com
搭配五美分硬幣作尺寸參照的MLX200晶片實拍圖